碳化硅由于化學性能穩(wěn)定、導熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，接下來碳化硅廠家安陽勝凱冶金為大家簡單講講碳化硅的發(fā)展歷程，一起來了解下吧！
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級，僅次于世界上較硬的金剛石（10級），具有優(yōu)良的導熱性能，是一種半導體，高溫時能抗氧化。
碳化硅歷程表：①1905年次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅；②1907年只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生；③1955年理論和技術上重大突破，LELY提出生長高品質碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料；④1958年在波士頓召開世界碳化硅會議進行學術交流；⑤1978年六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進行研究。到1978年采用“LELY改進技術”的晶粒提純生長方法；⑥1987年～到今以CREE的研究成果建立碳化硅生產線，供應商開始提供商品化的碳化硅基；⑦2001年德國Infineon公司推出SiC二極管產品，美國Cree和意法半導體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產品。在日本，羅姆、新日本無線及瑞薩電子等投產了SiC二極管；⑧2013年9月29日，碳化硅半導體國際學會“ICSCRM2013”召開，24個國家的半導體企業(yè)、科研院校等136家單位與會，人數(shù)達到794人次，為歷年來之。國際知名的半導體器件廠商，如科銳、三菱、羅姆、英飛凌、飛兆等在會議上均展示出了新的碳化硅器件。
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